进击的长鑫存储：“国货之光”上市倒计时，存储芯片国产替代加速

作为国内最被寄予厚望的两大存储芯片企业之一，来自安徽合肥的长鑫存储最近持续爆出重磅风闻。

1、5月9日，据金融时报的资讯，长鑫经过数月后终于确认，向美商订购的芯片制作装备不受美国出口管制影响。

2、4月20日，财联社报道，长鑫存储打算今年在科创板IPO，首次公开募股，估值不低于1000亿元人民币。

作为半导体产业最有可能率先突围的存储芯片范畴，长鑫存储和长江存储已经被很多人冠以“国货之光”的头衔，未来都将登陆A股市场。

1、存储芯片市场有多大？

依据中商情报网的统计，2023年，全球存储芯片行业范围预计达到1658亿美元，其中，中国市场的储存芯片范围超930亿美元，占全球55%以上。

存储芯片细分为：DRAM、NAND Flash、NOR Flash。

其中：DRAM市场份额占53%，NAND Flash占44%，NOR Flash大约1%。

长鑫存储主攻的方向是DRAM，国内份额已超3%，初步打破国际巨头的垄断局势，此前DRAM市场重要被美光科技、三星电子、SK海力士三家垄断。

长江存储主攻NAND Flash和NOR Flash，其128层堆叠的3D闪存技巧已经跻身全球一线水准，未来发展空间宏大。

NAND Flash的重要玩家还有三星、西部数据、铠侠、美光、SK海力士、因特尔等。

除此之外，A股还有12家存储芯片相干的企业，比如670亿的兆易创新、400亿的北京君正、280亿的深科技、200亿的国科微等等。

2、长鑫存储的前世今生

2016年5月，合肥市政府和兆易创新合作投资成立长鑫存储，专业从事DRAM的设计、研发、生产和出售。

2017年3月，项目开工。

2018年第一季度，第一座12英寸晶圆厂完成装备安装，同年研发出国内首个8Gbit DDR4芯片。

2019年三季度，开端量产19nm的DRAM芯片，良率在70-75%，成为全球第四家量产20nm以下DRAM的厂商，一举成为中国发展DRAM的盼望之“芯”。

2020年，长鑫存储完成多轮融资，投资机构包含华芯投资、小米、兆易创新、中金、招商证券、云锋基金等等，总投资超过2200亿元的合肥长鑫集成电路制作基地项目顺利签约，这是中国大陆目前唯一拥有完全技巧、工艺和生产运营团队的DRAM项目。

2021年完成17nm技巧研发，加速向DDR5 DRAM产品研发。

2022年10 月，美国商务部宣布新的对华半导体限制办法，其中针对18nm及以下制程的DRAM装备和技巧进行限制，长鑫扩产受限。

从DRAM三巨头工艺尺码发展过程来看，全球前三大厂商—三星、SK海力士、美光于2016-2017年进入1Xnm阶段，2018-2019年进入1Ynm阶段，2020年进入1Znm时期 。

长鑫存储的DRAM生产工艺处于16nm-19nm阶段，与三星、SK海力士等国际领先程度相比，落伍5年左右。

尽管长鑫存储还处于发展初期，与国际巨头技巧代差大，产品良率不高，产能未能完整释放，但已经实现了从无到有的突破。

朱一明此前公开表现，长鑫存储盈利前他不领一分钱工资、一分钱奖金，有这份信心，看好长鑫未来能再上一层楼。

总的来说，当前的金融形势需要我们保持高度警惕和深刻认识。同时，我们也应该希望进击的长鑫存储：“国货之光”上市倒计时，存储芯片国产替代加速能够为您带来思考空间。只要我们保持稳健的投资策略，紧密关注市场动态，善于把握机遇，就一定能够在竞争激烈的市场中得成功。

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